maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / R6011225XXYA
Référence fabricant | R6011225XXYA |
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Numéro de pièce future | FT-R6011225XXYA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
R6011225XXYA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard, Reverse Polarity |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 250A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 800A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 11µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50mA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-205AB, DO-9, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-205AB, DO-9 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6011225XXYA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | R6011225XXYA-FT |
HER604G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER604G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER604G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER605G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER605G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER605G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER606G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER606G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER606G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HT11G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
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5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel