maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / R6006ANX
Référence fabricant | R6006ANX |
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Numéro de pièce future | FT-R6006ANX |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
R6006ANX Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 520pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 40W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220FM |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R6006ANX Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | R6006ANX-FT |
NP52N055SUG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP55N03SUG-E1-AY
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NP55N055SDG-E1-AY
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XC2VP4-6FGG256C
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M1A3P600-1FGG484
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EP4SGX180FF35C2XN
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EP1SGX25DF1020C6
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