maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Embarqué - Microcontrôleurs / R5F64111NLG#U0
Référence fabricant | R5F64111NLG#U0 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-R5F64111NLG#U0 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | M16C/R32C/100/111 |
R5F64111NLG#U0 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Processeur central | R32C/100 |
Taille de base | 16/32-Bit |
La vitesse | 50MHz |
Connectivité | EBI/EMI, I²C, IEBus, UART/USART |
Des périphériques | DMA, LVD, PWM, WDT |
Nombre d'E / S | 82 |
Taille de la mémoire du programme | 384KB (384K x 8) |
Type de mémoire de programme | FLASH |
Taille EEPROM | - |
Taille de la RAM | 63K x 8 |
Tension - Alimentation (Vcc / Vdd) | 3V ~ 5.5V |
Convertisseurs de données | A/D 26x10b; D/A 2x8b |
Type d'oscillateur | Internal |
Température de fonctionnement | -20°C ~ 85°C (TA) |
Paquet / caisse | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 100-TFLGA |
100-TFLGA (5.5x5.5) | |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R5F64111NLG#U0 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | R5F64111NLG#U0-FT |
DF2215TE16V
Renesas Electronics America
DF2326VTE25V
Renesas Electronics America
DF2328BVTE25V
Renesas Electronics America
DF2328VTE25APV
Renesas Electronics America
DF2328VTE25V
Renesas Electronics America
DF2329BVTE25V
Renesas Electronics America
DF2329EVTE25V
Renesas Electronics America
DF2329VTE25V
Renesas Electronics America
DF2357TE20IV
Renesas Electronics America
DF2357TE20V
Renesas Electronics America
LCMXO2-7000HC-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4008E-2PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA9N1F45I2N
Intel
5SGXMABN3F45C4N
Intel
AGL1000V5-CS281I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQG160M
Microsemi Corporation
M1A3P400-FGG144
Microsemi Corporation