maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Embarqué - Microcontrôleurs / R5F64111NLG#U0
Référence fabricant | R5F64111NLG#U0 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-R5F64111NLG#U0 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | M16C/R32C/100/111 |
R5F64111NLG#U0 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Processeur central | R32C/100 |
Taille de base | 16/32-Bit |
La vitesse | 50MHz |
Connectivité | EBI/EMI, I²C, IEBus, UART/USART |
Des périphériques | DMA, LVD, PWM, WDT |
Nombre d'E / S | 82 |
Taille de la mémoire du programme | 384KB (384K x 8) |
Type de mémoire de programme | FLASH |
Taille EEPROM | - |
Taille de la RAM | 63K x 8 |
Tension - Alimentation (Vcc / Vdd) | 3V ~ 5.5V |
Convertisseurs de données | A/D 26x10b; D/A 2x8b |
Type d'oscillateur | Internal |
Température de fonctionnement | -20°C ~ 85°C (TA) |
Paquet / caisse | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 100-TFLGA |
100-TFLGA (5.5x5.5) | |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R5F64111NLG#U0 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | R5F64111NLG#U0-FT |
DF2215TE16V
Renesas Electronics America
DF2326VTE25V
Renesas Electronics America
DF2328BVTE25V
Renesas Electronics America
DF2328VTE25APV
Renesas Electronics America
DF2328VTE25V
Renesas Electronics America
DF2329BVTE25V
Renesas Electronics America
DF2329EVTE25V
Renesas Electronics America
DF2329VTE25V
Renesas Electronics America
DF2357TE20IV
Renesas Electronics America
DF2357TE20V
Renesas Electronics America
LCMXO2-1200HC-4TG144CR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-4FGG400C
Xilinx Inc.
XCV200-4FG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-5FG676C
Xilinx Inc.
A54SX72A-1CQ256M
Microsemi Corporation
A3P250-1PQ208
Microsemi Corporation
A3P030-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
M1AFS1500-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation