maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / R5001215XXWA
Référence fabricant | R5001215XXWA |
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Numéro de pièce future | FT-R5001215XXWA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
R5001215XXWA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 150A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.4V @ 470A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 7µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 30mA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-205AA, DO-8, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-205AA (DO-8) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 200°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R5001215XXWA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | R5001215XXWA-FT |
1N5310-1
Microsemi Corporation
1N5310UR-1
Microsemi Corporation
1N5311-1
Microsemi Corporation
1N5311UR-1
Microsemi Corporation
1N5312-1
Microsemi Corporation
1N5312UR-1
Microsemi Corporation
1N5314-1
Microsemi Corporation
1N5314UR-1
Microsemi Corporation
1N7048-1
Microsemi Corporation
1N7049-1
Microsemi Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
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5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
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EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel