Référence fabricant | R2160 |
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Numéro de pièce future | FT-R2160 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
R2160 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | - |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 30A |
La vitesse | - |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 200°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R2160 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | R2160-FT |
MURS140T3H
ON Semiconductor
MURS160T3H
ON Semiconductor
MURS320T3H
ON Semiconductor
MURS340SHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS360T3H
ON Semiconductor
N6051D
Diodes Incorporated
N6075D
Diodes Incorporated
N6180D
Diodes Incorporated
N6200D
Diodes Incorporated
N6270D
Diodes Incorporated
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel