Référence fabricant | R21120 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-R21120 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
R21120 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | - |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | - |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | - |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R21120 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | R21120-FT |
MURA120T3H
ON Semiconductor
MURA160T3H
ON Semiconductor
MURF860H
ON Semiconductor
MURH7060R
GeneSiC Semiconductor
MURS120T3H
ON Semiconductor
MURS140T3H
ON Semiconductor
MURS160T3H
ON Semiconductor
MURS320T3H
ON Semiconductor
MURS340SHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
MURS360T3H
ON Semiconductor
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel