maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux / QSZ3TR
Référence fabricant | QSZ3TR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-QSZ3TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
QSZ3TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN, PNP (Emitter Coupled) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 3A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 12V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 30mA, 1.5A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 500mA, 2V |
Puissance - Max | 500mW |
Fréquence - Transition | 280MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
Package d'appareils du fournisseur | TSMT5 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QSZ3TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | QSZ3TR-FT |
HN1A01FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B04FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1A01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B04FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C01FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2A01FE-GR(TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2A01FE-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FE-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FEYTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-5FT256C
Xilinx Inc.
A54SX08-1VQG100I
Microsemi Corporation
5CGTFD5F5M11C7N
Intel
EP3SL110F1152C2N
Intel
LFXP10C-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34E3LG
Intel
EP20K200RC240-1X
Intel
EPF8820ARC208-4
Intel