maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux / QSX7TR
Référence fabricant | QSX7TR |
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Numéro de pièce future | FT-QSX7TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
QSX7TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 NPN (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1.5A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 12V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 25mA, 500mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 200mA, 2V |
Puissance - Max | 500mW |
Fréquence - Transition | 400MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Package d'appareils du fournisseur | TSMT6 (SC-95) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QSX7TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | QSX7TR-FT |
MAT14ARZ-R7
Analog Devices Inc.
MAT14ARZ-RL
Analog Devices Inc.
ULN2003F12FN-7
Diodes Incorporated
HN2A01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2A01FU-GR(TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1A01FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1B04FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
A1010B-1VQG80I
Microsemi Corporation
AGLN020V5-QNG68
Microsemi Corporation
XC4013E-2BG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-3FG484I
Xilinx Inc.
APA450-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F45I2L
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LFE2-50E-5F484I
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Lattice Semiconductor Corporation
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