maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux / QST8TR
Référence fabricant | QST8TR |
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Numéro de pièce future | FT-QST8TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
QST8TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 PNP (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1.5A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 12V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 25mA, 500mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 200mA, 2V |
Puissance - Max | 1.25W |
Fréquence - Transition | 400MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Package d'appareils du fournisseur | TSMT6 (SC-95) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QST8TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | QST8TR-FT |
ULQ2003D1
STMicroelectronics
JANTXV2N6989
Microsemi Corporation
MAT14ARZ
Analog Devices Inc.
MAT14ARZ-R7
Analog Devices Inc.
MAT14ARZ-RL
Analog Devices Inc.
ULN2003F12FN-7
Diodes Incorporated
HN2A01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2A01FU-GR(TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO640C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25T-N3FG484C
Xilinx Inc.
AFS1500-1FGG484
Microsemi Corporation
AT6010H-2QI
Microchip Technology
EP20K1000CF672C7GZ
Intel
A40MX02-2PL44
Microsemi Corporation
A40MX04-2PQ100I
Microsemi Corporation
LFX125EB-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50SE-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780I7N
Intel