maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux / QS6Z5TR
Référence fabricant | QS6Z5TR |
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Numéro de pièce future | FT-QS6Z5TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
QS6Z5TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN, PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 25mA, 500mA / 400mV @ 25mA, 500mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1µA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 50mA, 2V |
Puissance - Max | 1.25W |
Fréquence - Transition | 360MHz, 400MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Package d'appareils du fournisseur | TSMT6 (SC-95) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QS6Z5TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | QS6Z5TR-FT |
JANTXV2N6989
Microsemi Corporation
MAT14ARZ
Analog Devices Inc.
MAT14ARZ-R7
Analog Devices Inc.
MAT14ARZ-RL
Analog Devices Inc.
ULN2003F12FN-7
Diodes Incorporated
HN2A01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2A01FU-GR(TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1A01FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
AT40K05LV-3BQI
Microchip Technology
LCMXO1200C-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A40MX02-PLG68I
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-2X
Intel
5CGXFC7B6M15C6N
Intel
5SGXEA5N1F45C2LN
Intel
A42MX24-1TQ176I
Microsemi Corporation
5SGSMD4H1F35C1N
Intel