maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux / QS6Z5TR
Référence fabricant | QS6Z5TR |
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Numéro de pièce future | FT-QS6Z5TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
QS6Z5TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN, PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 25mA, 500mA / 400mV @ 25mA, 500mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1µA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 50mA, 2V |
Puissance - Max | 1.25W |
Fréquence - Transition | 360MHz, 400MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Package d'appareils du fournisseur | TSMT6 (SC-95) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QS6Z5TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | QS6Z5TR-FT |
JANTXV2N6989
Microsemi Corporation
MAT14ARZ
Analog Devices Inc.
MAT14ARZ-R7
Analog Devices Inc.
MAT14ARZ-RL
Analog Devices Inc.
ULN2003F12FN-7
Diodes Incorporated
HN2A01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2C01FU-Y(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
HN2A01FU-GR(TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1A01FE-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC6SLX75-3FGG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX72A-1CQ256B
Microsemi Corporation
5SGXEB5R1F40C1N
Intel
EP2AGX65DF25C6NES
Intel
5SEE9F45C4N
Intel
XC6VLX75T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2BG329I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H1F35C1N
Intel