maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux / QS5W1TR
Référence fabricant | QS5W1TR |
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Numéro de pièce future | FT-QS5W1TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
QS5W1TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 NPN (Dual) Common Emitter |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 3A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 30V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 1A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1µA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 2V |
Puissance - Max | 1.25W |
Fréquence - Transition | 270MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
Package d'appareils du fournisseur | TSMT5 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QS5W1TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | QS5W1TR-FT |
ULN2003F12FN-7
Diodes Incorporated
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