maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / QID1210007
Référence fabricant | QID1210007 |
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Numéro de pièce future | FT-QID1210007 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
QID1210007 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Configuration | 2 Independent |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100A |
Puissance - Max | 730W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 6.5V @ 15V, 100A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 16nF @ 10V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QID1210007 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | QID1210007-FT |
MIO1200-25E10
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MIO1200-33E10
IXYS
MIO1200-33E11
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MIO1500-25E10
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MIO1800-17E10
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MITA10WB1200TMH
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