maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / PUMD10,125
Référence fabricant | PUMD10,125 |
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Numéro de pièce future | FT-PUMD10,125 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PUMD10,125 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1µA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | 6-TSSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PUMD10,125 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PUMD10,125-FT |
DCX144EUQ-7-F
Diodes Incorporated
DDC114EU-7-F
Diodes Incorporated
DDC115EU-7-F
Diodes Incorporated
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DDC144TU-7
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ACX115EUQ-13R
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ACX115EUQ-7R
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ACX143ZUQ-13R
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ACX143ZUQ-7R
Diodes Incorporated
XC3S1400AN-5FGG484C
Xilinx Inc.
A42MX36-BG272I
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LCMXO640C-3FTN256I
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A3PN125-1VQG100
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-2N
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10M16DCF256I6G
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5SEEBH40I4N
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LFE2M50SE-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation