maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - RF / PTVA104501EH-V1-R0
Référence fabricant | PTVA104501EH-V1-R0 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-PTVA104501EH-V1-R0 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PTVA104501EH-V1-R0 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 960MHz ~ 1.215GHz |
Gain | 17.5dB |
Tension - Test | 50V |
Note actuelle | - |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 200mA |
Puissance - sortie | 450W |
Tension - nominale | 105V |
Paquet / caisse | H-33288-2 |
Package d'appareils du fournisseur | H-33288-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PTVA104501EH-V1-R0 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PTVA104501EH-V1-R0-FT |
ARF461BG
Microsemi Corporation
ARF463BP1G
Microsemi Corporation
ARF465AG
Microsemi Corporation
ARF465BG
Microsemi Corporation
ARF463BG
Microsemi Corporation
ARF461AG
Microsemi Corporation
ARF463AP1G
Microsemi Corporation
ARF477FL
Microsemi Corporation
ARF476FL
Microsemi Corporation
ARF466AG
Microsemi Corporation
XC3S50A-4TQ144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C5F256I7
Intel
10M04SAU169I7G
Intel
EP4CE6E22C8LN
Intel
5SGXEA7N3F45I4N
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H2F34I1SG
Intel
EP2C70F896I8N
Intel