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Référence fabricant | PTFA261702E V1 |
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Numéro de pièce future | FT-PTFA261702E V1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PTFA261702E V1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 2.66GHz |
Gain | 15dB |
Tension - Test | 28V |
Note actuelle | 10µA |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 1.8A |
Puissance - sortie | 170W |
Tension - nominale | 65V |
Paquet / caisse | 2-Flatpack, Fin Leads |
Package d'appareils du fournisseur | H-30275-4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PTFA261702E V1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PTFA261702E V1-FT |
BG3130H6327XTSA1
Infineon Technologies
BG3130RE6327BTSA1
Infineon Technologies
BG3130RH6327XTSA1
Infineon Technologies
BG3430RE6327HTSA1
Infineon Technologies
BG3430RH6327XTSA1
Infineon Technologies
BG5120KE6327HTSA1
Infineon Technologies
BG5120KH6327XTSA1
Infineon Technologies
BG5412KE6327HTSA1
Infineon Technologies
BG5412KH6327XTSA1
Infineon Technologies
BF1105R,215
NXP USA Inc.
AT40K10AL-1BQU
Microchip Technology
LFXP3C-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08A-1FG144I
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
AX250-2FG256
Microsemi Corporation
A14V25A-VQG100C
Microsemi Corporation
A54SX08-2FGG144
Microsemi Corporation
A42MX09-PQ100M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE40F29I8LN
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