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Référence fabricant | PTFA091201HL V1 |
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Numéro de pièce future | FT-PTFA091201HL V1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PTFA091201HL V1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 960MHz |
Gain | 18.5dB |
Tension - Test | 28V |
Note actuelle | 10µA |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 750mA |
Puissance - sortie | 110W |
Tension - nominale | 65V |
Paquet / caisse | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged |
Package d'appareils du fournisseur | PG-64248-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PTFA091201HL V1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PTFA091201HL V1-FT |
BF1211R,215
NXP USA Inc.
BF1212R,215
NXP USA Inc.
BF2030RE6814HTSA1
Infineon Technologies
BF2040RE6814HTSA1
Infineon Technologies
BF904,235
NXP USA Inc.
BF904AR,215
NXP USA Inc.
BF904R,215
NXP USA Inc.
BF904R,235
NXP USA Inc.
BF908R,215
NXP USA Inc.
BF908R,235
NXP USA Inc.
XC2S200E-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
A3PE3000-FGG484
Microsemi Corporation
AX1000-FG484M
Microsemi Corporation
EP2C35F672C6N
Intel
EPF10K30AFC256-2
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
LCMXO3LF-1300E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA1D4F31C5N
Intel
EP4SGX530HH35C2N
Intel