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Infineon Technologies PTAB182002TCV2XWSA1

Numéro de pièce MFG
PTAB182002TCV2XWSA1
quantité disponible
21590 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
* IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - RF
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
PTAB182002TCV2XWSA1.pdf
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PTAB182002TCV2XWSA1 Caractéristiques

Référence fabricant PTAB182002TCV2XWSA1
Numéro de pièce future FT-PTAB182002TCV2XWSA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries *
PTAB182002TCV2XWSA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de transistor -
La fréquence -
Gain -
Tension - Test -
Note actuelle -
Figure de bruit -
Courant - Test -
Puissance - sortie -
Tension - nominale -
Paquet / caisse -
Package d'appareils du fournisseur -
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PTAB182002TCV2XWSA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange PTAB182002TCV2XWSA1-FT

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