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Infineon Technologies PTAB182002TCV2R250XTMA1

Name: PTAB182002TCV2R250XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: PTAB182002TCV2R250XTMA1
Availability: InStock
Rating: 4.6 (100 reviews)

Numéro de pièce MFG: PTAB182002TCV2R250XTMA1

quantité disponible: 35260 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: - IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - RF

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: PTAB182002TCV2R250XTMA1.pdf

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PTAB182002TCV2R250XTMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	PTAB182002TCV2R250XTMA1
Numéro de pièce future	FT-PTAB182002TCV2R250XTMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
PTAB182002TCV2R250XTMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de transistor	LDMOS
La fréquence	1.805GHz ~ 1.88GHz
Gain	14.8dB
Tension - Test	28V
Note actuelle	10µA
Figure de bruit	-
Courant - Test	520mA
Puissance - sortie	29W
Tension - nominale	65V
Paquet / caisse	H-49248H-4
Package d'appareils du fournisseur	H-49248H-4
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PTAB182002TCV2R250XTMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	PTAB182002TCV2R250XTMA1-FT

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