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Infineon Technologies PTAB182002TCV2R250XTMA1
- Numéro de pièce MFG
- PTAB182002TCV2R250XTMA1
- quantité disponible
- 35260 Pièces
- Prix de référence
- USD 0
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Infineon Technologies
- Brève description
- - IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - RF
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- PTAB182002TCV2R250XTMA1.pdf
PTAB182002TCV2R250XTMA1 Caractéristiques
| Référence fabricant | PTAB182002TCV2R250XTMA1 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-PTAB182002TCV2R250XTMA1 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| PTAB182002TCV2R250XTMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Obsolete |
| Type de transistor | LDMOS |
| La fréquence | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| Gain | 14.8dB |
| Tension - Test | 28V |
| Note actuelle | 10µA |
| Figure de bruit | - |
| Courant - Test | 520mA |
| Puissance - sortie | 29W |
| Tension - nominale | 65V |
| Paquet / caisse | H-49248H-4 |
| Package d'appareils du fournisseur | H-49248H-4 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| PTAB182002TCV2R250XTMA1 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | PTAB182002TCV2R250XTMA1-FT |
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