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PSMN6R3-120ESQ Image

Nexperia USA Inc. PSMN6R3-120ESQ

Numéro de pièce MFG
PSMN6R3-120ESQ
quantité disponible
81790 Pièces
Prix de référence
USD 2.232
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Date d'expédition
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fabricant
Nexperia USA Inc.
Brève description
- MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
PSMN6R3-120ESQ.pdf
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PSMN6R3-120ESQ Caractéristiques

Référence fabricant PSMN6R3-120ESQ
Numéro de pièce future FT-PSMN6R3-120ESQ
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
PSMN6R3-120ESQ Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 120V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 70A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 207.1nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 11384pF @ 60V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 405W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur I2PAK
Paquet / caisse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PSMN6R3-120ESQ Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange PSMN6R3-120ESQ-FT

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