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Référence fabricant | PSMN2R8-80BS,118 |
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Numéro de pièce future | FT-PSMN2R8-80BS,118 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PSMN2R8-80BS,118 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 80V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 120A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 139nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 9961pF @ 40V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 306W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN2R8-80BS,118 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PSMN2R8-80BS,118-FT |
PSMN005-75P,127
Nexperia USA Inc.
PSMN008-75P,127
NXP USA Inc.
PSMN009-100P,127
Nexperia USA Inc.
PSMN015-110P,127
Nexperia USA Inc.
PSMN017-30PL,127
Nexperia USA Inc.
PSMN030-150P,127
Nexperia USA Inc.
PSMN035-150P,127
Nexperia USA Inc.
PSMN050-80PS,127
NXP USA Inc.
PSMN057-200P,127
Nexperia USA Inc.
PSMN070-200P,127
Nexperia USA Inc.
A3PN015-1QNG68I
Microsemi Corporation
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
Microsemi Corporation
A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel