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Référence fabricant | PSMN2R5-60PLQ |
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Numéro de pièce future | FT-PSMN2R5-60PLQ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PSMN2R5-60PLQ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 150A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 223nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 349W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN2R5-60PLQ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PSMN2R5-60PLQ-FT |
BUK7M12-40EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M12-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M17-80EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M21-40EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M22-80EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M27-80EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M33-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M42-60EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M45-40EX
Nexperia USA Inc.
BUK7M67-60EX
Nexperia USA Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel