maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / PSMN2R2-40BS,118
Référence fabricant | PSMN2R2-40BS,118 |
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Numéro de pièce future | FT-PSMN2R2-40BS,118 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PSMN2R2-40BS,118 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8423pF @ 20V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 306W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN2R2-40BS,118 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PSMN2R2-40BS,118-FT |
PHP54N06T,127
NXP USA Inc.
PHP55N03LTA,127
NXP USA Inc.
PHP63NQ03LT,127
NXP USA Inc.
PHP66NQ03LT,127
NXP USA Inc.
PHP71NQ03LT,127
NXP USA Inc.
PHP73N06T,127
NXP USA Inc.
PHP75NQ08T,127
NXP USA Inc.
PHP78NQ03LT,127
NXP USA Inc.
PHP83N03LT,127
NXP USA Inc.
PHP96NQ03LT,127
NXP USA Inc.
XC2VP4-6FGG256C
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XC4052XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
XC2V250-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
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A42MX36-PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL090TS-1FGG676I
Microsemi Corporation
LFEC10E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100QC208-3N
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EP4SGX180FF35C2XN
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel