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Nexperia USA Inc. PMXB360ENEAZ

Name: PMXB360ENEAZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: PMXB360ENEAZ
Price: 0.101664 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (57 reviews)

Numéro de pièce MFG: PMXB360ENEAZ

quantité disponible: 75470 Pièces

Prix de référence: USD 0.101664

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Nexperia USA Inc.

Brève description: - MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: PMXB360ENEAZ.pdf

PMXB360ENEAZ Caractéristiques

Référence fabricant	PMXB360ENEAZ
Numéro de pièce future	FT-PMXB360ENEAZ
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
PMXB360ENEAZ Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	1.1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.7V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	130pF @ 40V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	400mW (Ta), 6.25W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	DFN1010D-3
Paquet / caisse	3-XDFN Exposed Pad
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMXB360ENEAZ Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	PMXB360ENEAZ-FT

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