maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / PMV30UN2VL
Référence fabricant | PMV30UN2VL |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-PMV30UN2VL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMOS™ |
PMV30UN2VL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5.4A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 655pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 490mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-236AB |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMV30UN2VL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PMV30UN2VL-FT |
NP70N10KUF-E2-AY
Renesas Electronics America
NP75P04YLG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP80N04KHE-E1-AZ
Renesas Electronics America
NP80N055KLE-E2-AY
Renesas Electronics America
NP80N055NDG-S18-AY
Renesas Electronics America
NP82N04NUG-S18-AY
Renesas Electronics America
NP82N04PUG(1)-E1B-AY
Renesas Electronics America
NP82N10PUF-E1-AY
Renesas Electronics America
NP84N075KUE-E2-AY
Renesas Electronics America
NP88N04KUG-E1-AY
Renesas Electronics America
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation