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Référence fabricant | PMN40UPE,115 |
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Numéro de pièce future | FT-PMN40UPE,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PMN40UPE,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.7A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1820pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 500mW (Ta), 8.33W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 6-TSOP |
Paquet / caisse | SC-74, SOT-457 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMN40UPE,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PMN40UPE,115-FT |
SI2341DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2342DS-T1-GE3
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SI3404-TP
Micro Commercial Co
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel