maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / PMGD290XN,115
Référence fabricant | PMGD290XN,115 |
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Numéro de pièce future | FT-PMGD290XN,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMOS™ |
PMGD290XN,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 860mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 200mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.72nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 34pF @ 20V |
Puissance - Max | 410mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | 6-TSSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMGD290XN,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PMGD290XN,115-FT |
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Taiwan Semiconductor Corporation
TSM6866SDCA RVG
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TSM6968SDCA RVG
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5SGXEA5N2F45I3N
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XCKU5P-2SFVB784E
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation