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NXP USA Inc. PMF3800SN,115

Numéro de pièce MFG
PMF3800SN,115
quantité disponible
15470 Pièces
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Date d'expédition
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fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
TrenchMOS™ MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
PMF3800SN,115.pdf
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PMF3800SN,115 Caractéristiques

Référence fabricant PMF3800SN,115
Numéro de pièce future FT-PMF3800SN,115
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries TrenchMOS™
PMF3800SN,115 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 260mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.3V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.85nC @ 10V
Vgs (Max) ±15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 40pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 560mW (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur SOT-323-3
Paquet / caisse SC-70, SOT-323
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMF3800SN,115 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange PMF3800SN,115-FT

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