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Nexperia USA Inc. PMCM650VNE/S500Z

Name: PMCM650VNE/S500Z
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: PMCM650VNE/S500Z
Availability: InStock
Rating: 4.8 (205 reviews)

Numéro de pièce MFG: PMCM650VNE/S500Z

quantité disponible: 38450 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Nexperia USA Inc.

Brève description: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 12V 8.4A 6WLCSP

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: PMCM650VNE/S500Z.pdf

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PMCM650VNE/S500Z Caractéristiques

Référence fabricant	PMCM650VNE/S500Z
Numéro de pièce future	FT-PMCM650VNE/S500Z
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	TrenchMOS™
PMCM650VNE/S500Z Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	8.4A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	15.4nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1060pF @ 6V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	12.5W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	6-WLCSP (1.48x.98)
Paquet / caisse	6-XFBGA, WLCSP
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMCM650VNE/S500Z Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	PMCM650VNE/S500Z-FT

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