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Référence fabricant | PM2110-2R2M |
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Numéro de pièce future | FT-PM2110-2R2M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PM2110 |
PM2110-2R2M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Toroidal |
Matériau - Noyau | Iron |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 17.2A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 3 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 1.201" L x 1.000" W (30.50mm x 25.40mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.570" (14.48mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PM2110-2R2M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PM2110-2R2M-FT |
PM3308-102M
Bourns Inc.
PM3308-150M
Bourns Inc.
PM3308-151M
Bourns Inc.
PM3308-220M
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PM3308-221M
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PM3308-330M
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PM3308-331M
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PM3308-470M
Bourns Inc.
PM3308-471M
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PM3308-680M
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ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
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5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel