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Référence fabricant | PM1608S-6R8M |
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Numéro de pièce future | FT-PM1608S-6R8M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PM1608S |
PM1608S-6R8M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 6.8µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.2A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 65 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 50MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.260" L x 0.175" W (6.60mm x 4.45mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.115" (2.92mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PM1608S-6R8M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PM1608S-6R8M-FT |
PM125S-181M-RC
Bourns Inc.
PM125S-220M
Bourns Inc.
PM125S-221M
Bourns Inc.
PM125S-221M-RC
Bourns Inc.
PM125S-270M
Bourns Inc.
PM125S-270M-RC
Bourns Inc.
PM125S-271M
Bourns Inc.
PM125S-271M-RC
Bourns Inc.
PM125S-330M
Bourns Inc.
PM125S-330M-RC
Bourns Inc.
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel