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Référence fabricant | PM12651S-4R7M-RC |
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Numéro de pièce future | FT-PM12651S-4R7M-RC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PM12651S |
PM12651S-4R7M-RC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Iron |
Inductance | 4.7µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 12A |
Courant - Saturation | 27A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 15 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.547" L x 0.531" W (13.90mm x 13.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.232" (5.90mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PM12651S-4R7M-RC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PM12651S-4R7M-RC-FT |
PM2120-120K-RC
Bourns Inc.
PM2120-100K
Bourns Inc.
PM2120-101K
Bourns Inc.
PM2120-102K
Bourns Inc.
PM2120-120K
Bourns Inc.
PM2120-121K
Bourns Inc.
PM2120-150K
Bourns Inc.
PM2120-151K
Bourns Inc.
PM2120-180K
Bourns Inc.
PM2120-181K
Bourns Inc.
XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
Intel
5AGXBA5D4F35I5N
Intel
EP2S180F1508C4N
Intel
EPF81188AQC240-4
Intel