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Référence fabricant | PM105-180M |
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Numéro de pièce future | FT-PM105-180M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PM105 |
PM105-180M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 18µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 2.15A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 90 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 18MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 100°C |
Fréquence d'inductance - Test | 2.52MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.386" L x 0.386" W (9.80mm x 9.80mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.228" (5.80mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PM105-180M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PM105-180M-FT |
PM1210-R010K
Bourns Inc.
PM1210-R012K
Bourns Inc.
PM1210-R015K
Bourns Inc.
PM1210-R018K
Bourns Inc.
PM1210-R022K
Bourns Inc.
PM1210-R027K
Bourns Inc.
PM1210-R033J
Bourns Inc.
PM1210-R039J
Bourns Inc.
PM1210-R047J
Bourns Inc.
PM1210-R056J
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APA300-PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C80U484C7N
Intel
10M08DAF256I7G
Intel
5SGXMB5R3F40C2LN
Intel
5SGXEA5K3F35I3LN
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
XC4VFX100-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation