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Référence fabricant | PM105-100M |
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Numéro de pièce future | FT-PM105-100M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PM105 |
PM105-100M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 10µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 2.6A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 60 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 25MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 100°C |
Fréquence d'inductance - Test | 2.52MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.386" L x 0.386" W (9.80mm x 9.80mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.228" (5.80mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PM105-100M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PM105-100M-FT |
PM1210-560J
Bourns Inc.
PM1210-5R6J
Bourns Inc.
PM1210-680J
Bourns Inc.
PM1210-6R8J
Bourns Inc.
PM1210-820J
Bourns Inc.
PM1210-8R2J
Bourns Inc.
PM1210-R010K
Bourns Inc.
PM1210-R012K
Bourns Inc.
PM1210-R015K
Bourns Inc.
PM1210-R018K
Bourns Inc.
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel