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Référence fabricant | PM105-100M-RC |
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Numéro de pièce future | FT-PM105-100M-RC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PM105 |
PM105-100M-RC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 10µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 2.6A |
Courant - Saturation | 5.1A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 60 mOhm |
Q @ Freq | 30 @ 2.52MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 21MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.386" L x 0.386" W (9.80mm x 9.80mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.228" (5.80mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PM105-100M-RC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PM105-100M-RC-FT |
PM1210-121J
Bourns Inc.
PM1210-150J
Bourns Inc.
PM1210-151J
Bourns Inc.
PM1210-180J
Bourns Inc.
PM1210-181J
Bourns Inc.
PM1210-181J-RC
Bourns Inc.
PM1210-1R0J
Bourns Inc.
PM1210-1R2J
Bourns Inc.
PM1210-1R5J
Bourns Inc.
PM1210-1R8J
Bourns Inc.
XC3S50AN-5TQG144C
Xilinx Inc.
XA3S200-4FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP20K300EBC672-2X
Intel
10AX016C3U19E2LG
Intel
APA075-FGG144A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation