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Référence fabricant | PLZ10D-G3/H |
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Numéro de pièce future | FT-PLZ10D-G3/H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PLZ10D-G3/H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
Tolérance | ±2.5% |
Puissance - Max | 500mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 8 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200nA @ 7V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 900mV @ 10mA |
Température de fonctionnement | 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AC (microSMF) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PLZ10D-G3/H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PLZ10D-G3/H-FT |
BZW03D22-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZW03D220-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZW03D220-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZW03D24-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZW03D24-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZW03D240-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZW03D27-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZW03D270-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZW03D30-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZW03D30-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFECP6E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-2FG484I
Microsemi Corporation
M7AFS600-1FG484
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6
Intel
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SEEBH40I3N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
A54SX08-2FGG144I
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100QC240-3
Intel