maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / PHX9NQ20T,127
Référence fabricant | PHX9NQ20T,127 |
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Numéro de pièce future | FT-PHX9NQ20T,127 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMOS™ |
PHX9NQ20T,127 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5.2A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 959pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 25W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220F |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PHX9NQ20T,127 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PHX9NQ20T,127-FT |
NVMFS5C682NLWFAFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C682NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C682NLWFT3G
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NVMFS6B03NLT1G
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NVMFS6B03NLT3G
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NVMFS6B03NT1G
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NVMFS6B03NT3G
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NVMFS6B03NWFT1G
ON Semiconductor
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel