maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / PHX34NQ11T,127
Référence fabricant | PHX34NQ11T,127 |
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Numéro de pièce future | FT-PHX34NQ11T,127 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMOS™ |
PHX34NQ11T,127 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 110V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 24.8A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 17A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 56.8W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220F |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PHX34NQ11T,127 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PHX34NQ11T,127-FT |
NVMFS5C682NLAFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C682NLT1G
ON Semiconductor
NVMFS5C682NLT3G
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NVMFS5C682NLWFAFT3G
ON Semiconductor
NVMFS5C682NLWFT1G
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NVMFS6B03NLT1G
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NVMFS6B03NLT3G
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NVMFS6B03NLWFT1G
ON Semiconductor
NVMFS6B03NLWFT3G
ON Semiconductor
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel