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Référence fabricant | PHT8N06LT,135 |
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Numéro de pièce future | FT-PHT8N06LT,135 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMOS™ |
PHT8N06LT,135 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 55V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.5A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 5A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11.2nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±13V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-223 |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PHT8N06LT,135 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PHT8N06LT,135-FT |
BUK951R6-30E,127
NXP USA Inc.
BUK951R9-40E,127
NXP USA Inc.
BUK9520-100A,127
Nexperia USA Inc.
BUK9520-100B,127
Nexperia USA Inc.
BUK9520-55,127
NXP USA Inc.
BUK9520-55A,127
NXP USA Inc.
BUK9523-75A,127
NXP USA Inc.
BUK9524-55A,127
NXP USA Inc.
BUK9528-100A,127
NXP USA Inc.
BUK9528-55A,127
NXP USA Inc.
LCMXO2-640HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S400A-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG484M
Microsemi Corporation
A3P250-1FG256
Microsemi Corporation
ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel