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PHT4NQ10T,135 Image

Nexperia USA Inc. PHT4NQ10T,135

Numéro de pièce MFG
PHT4NQ10T,135
quantité disponible
41980 Pièces
Prix de référence
USD 0.211144
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Date d'expédition
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fabricant
Nexperia USA Inc.
Brève description
TrenchMOS™ MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT223
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
PHT4NQ10T,135.pdf
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PHT4NQ10T,135 Caractéristiques

Référence fabricant PHT4NQ10T,135
Numéro de pièce future FT-PHT4NQ10T,135
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries TrenchMOS™
PHT4NQ10T,135 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 3.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 1.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 6.9W (Tc)
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur SC-73
Paquet / caisse TO-261-4, TO-261AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHT4NQ10T,135 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange PHT4NQ10T,135-FT

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