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NXP USA Inc. PHM25NQ10T,518

Name: PHM25NQ10T,518
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PHM25NQ10T,518
Availability: InStock
Rating: 4.6 (205 reviews)

Numéro de pièce MFG: PHM25NQ10T,518

quantité disponible: 30990 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: NXP USA Inc.

Brève description: TrenchMOS™ MOSFET N-CH 100V 30.7A 8HVSON

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: PHM25NQ10T,518.pdf

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PHM25NQ10T,518 Caractéristiques

Référence fabricant	PHM25NQ10T,518
Numéro de pièce future	FT-PHM25NQ10T,518
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	TrenchMOS™
PHM25NQ10T,518 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	30.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	26.6nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 20V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	62.5W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-HVSON (6x5)
Paquet / caisse	8-VDFN Exposed Pad
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PHM25NQ10T,518 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	PHM25NQ10T,518-FT

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