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Référence fabricant | PHM21NQ15T,518 |
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Numéro de pièce future | FT-PHM21NQ15T,518 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMOS™ |
PHM21NQ15T,518 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 150V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 22.2A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 36.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2080pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 62.5W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-HVSON (6x5) |
Paquet / caisse | 8-VDFN Exposed Pad |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PHM21NQ15T,518 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PHM21NQ15T,518-FT |
SPB02N60S5ATMA1
Infineon Technologies
SPB03N60C3ATMA1
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SPB03N60S5ATMA1
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SPB04N50C3ATMA1
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SPB04N60C3ATMA1
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SPB07N60S5ATMA1
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SPB08P06P
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SPB08P06PGATMA1
Infineon Technologies
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel