Référence fabricant | PF170 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-PF170 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PF170 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 16000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 52V @ 20mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 200ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 16000V |
Capacité @ Vr, F | 4pF @ 5V, 1MHz |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PF170 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PF170-FT |
UFS350G/TR13
Microsemi Corporation
UFS350GE3/TR13
Microsemi Corporation
UFS360G/TR13
Microsemi Corporation
UFS360GE3/TR13
Microsemi Corporation
UFS370G/TR13
Microsemi Corporation
UFS370GE3/TR13
Microsemi Corporation
UFS380G/TR13
Microsemi Corporation
UFS380GE3/TR13
Microsemi Corporation
UFS505G/TR13
Microsemi Corporation
UFS505GE3/TR13
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel