maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / PEMB16,115
Référence fabricant | PEMB16,115 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-PEMB16,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PEMB16,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 22 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1µA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 300mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-666 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PEMB16,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PEMB16,115-FT |
NSBA113EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5314DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN5211DW1T3G
ON Semiconductor
NSVMUN5332DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5113DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5216DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5313DW1T3G
ON Semiconductor
MUN5214DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5235DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5314DW1T1G
ON Semiconductor
XCKU040-2FBVA900I
Xilinx Inc.
XC6SLX45-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P125-1VQG100
Microsemi Corporation
AT6002LV-4AC
Microchip Technology
EP4CE15M9I7N
Intel
EP3C25F256C7ES
Intel
EP3SL200F1517I4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
XC6VLX365T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
10M04DCU324A7G
Intel