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Référence fabricant | PE-1008CM221GTT |
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Numéro de pièce future | FT-PE-1008CM221GTT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | 1008CM |
PE-1008CM221GTT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ceramic |
Inductance | 220nH |
Tolérance | ±2% |
Note actuelle | 500mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 280 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 100MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 625MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 25MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1008 (2520 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1008 (2520 Metric) |
Taille / Dimension | 0.115" L x 0.110" W (2.92mm x 2.79mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.090" (2.29mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PE-1008CM221GTT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PE-1008CM221GTT-FT |
PE-1008CD181JTT
Pulse Electronics Network
PE-1008CD181KTT
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PE-1008CD182GTT
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XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel