maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / PDTD123YUF
Référence fabricant | PDTD123YUF |
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Numéro de pièce future | FT-PDTD123YUF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PDTD123YUF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 225MHz |
Puissance - Max | 300mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-70, SOT-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SC-70 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTD123YUF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PDTD123YUF-FT |
DDTD142JU-7
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XC7A12T-L1CSG325I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256M
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M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C4N
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EP4SE820H40C3N
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XC6VLX75T-L1FF784I
Xilinx Inc.
A40MX02-2PQ100I
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23I7N
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10AX016E4F29I3SG
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