maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / PDTD123EQAZ
Référence fabricant | PDTD123EQAZ |
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Numéro de pièce future | FT-PDTD123EQAZ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
PDTD123EQAZ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 2.2 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 210MHz |
Puissance - Max | 325mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 3-XDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | DFN1010D-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTD123EQAZ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PDTD123EQAZ-FT |
PDTA124XE,115
NXP USA Inc.
PDTA143EE,115
NXP USA Inc.
PDTA143TE,115
NXP USA Inc.
PDTA143XE,115
NXP USA Inc.
PDTA143XE,135
NXP USA Inc.
PDTA143ZE,115
NXP USA Inc.
PDTA144EE,115
NXP USA Inc.
PDTA144TE,115
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PDTA144VE,115
NXP USA Inc.
PDTA144WE,115
NXP USA Inc.
AGLN010V5-UCG36
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
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10M25DCF484I7G
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5SGXEB6R2F40C3
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A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XC4VLX160-11FF1148C
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EPF8452AQC160-3AC
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