maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / PDTD113ZQAZ
Référence fabricant | PDTD113ZQAZ |
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Numéro de pièce future | FT-PDTD113ZQAZ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
PDTD113ZQAZ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 1 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 210MHz |
Puissance - Max | 325mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 3-XDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | DFN1010D-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTD113ZQAZ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PDTD113ZQAZ-FT |
PDTA124EE,115
NXP USA Inc.
PDTA124TE,115
NXP USA Inc.
PDTA124XE,115
NXP USA Inc.
PDTA143EE,115
NXP USA Inc.
PDTA143TE,115
NXP USA Inc.
PDTA143XE,115
NXP USA Inc.
PDTA143XE,135
NXP USA Inc.
PDTA143ZE,115
NXP USA Inc.
PDTA144EE,115
NXP USA Inc.
PDTA144TE,115
NXP USA Inc.
LAXP2-8E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4TG144CR1
Lattice Semiconductor Corporation
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