maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / PDTB143ETVL
Référence fabricant | PDTB143ETVL |
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Numéro de pièce future | FT-PDTB143ETVL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PDTB143ETVL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 4.7 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 50mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 140MHz |
Puissance - Max | 320mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-236AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTB143ETVL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PDTB143ETVL-FT |
PDTB143EUF
Nexperia USA Inc.
PDTB143EUX
Nexperia USA Inc.
PDTB143XUF
Nexperia USA Inc.
PDTB143XUX
Nexperia USA Inc.
PDTC114EU,135
Nexperia USA Inc.
PDTC114YU,115
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PDTC114YUF
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PDTC115EU,115
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PDTC115EUF
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PDTC115TU,115
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A40MX02-VQG80A
Microsemi Corporation
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A3P1000-FGG484I
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