maison / des produits / Capteurs, transducteurs / Capteurs optiques - Photodiodes / PDI-V114-F
Référence fabricant | PDI-V114-F |
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Numéro de pièce future | FT-PDI-V114-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PDI-V114-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Longueur d'onde | 950nm |
Couleur - Améliorée | - |
Gamme spectrale | 700nm ~ 1100nm |
Type de diode | PIN |
Responsivité @ nm | - |
Temps de réponse | 900ns |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Sombre (Typ) | 335pA |
Zone active | 17.74mm² |
Angle de vue | 63° |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 80°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-5 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDI-V114-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PDI-V114-F-FT |
PDB-C616-1
Advanced Photonix
PDB-C616-2
Advanced Photonix
PDB-C616-3
Advanced Photonix
PDB-C617-1
Advanced Photonix
PDB-C617-2
Advanced Photonix
PDB-C617-3
Advanced Photonix
PDB-C618-1
Advanced Photonix
PDB-C618-2
Advanced Photonix
PDB-C618-3
Advanced Photonix
PDB-V101
Advanced Photonix
LFEC6E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
M2GL090S-1FGG484I
Microsemi Corporation
A40MX02-PLG68M
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F672C3N
Intel
EP4CE15F23C6
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
XC5VLX110-2FFG1760C
Xilinx Inc.
EP2S130F1020I4N
Intel