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Référence fabricant | PDI-V108-F |
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Numéro de pièce future | FT-PDI-V108-F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PDI-V108-F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Longueur d'onde | 950nm |
Couleur - Améliorée | - |
Gamme spectrale | 700nm ~ 1100nm |
Type de diode | PIN |
Responsivité @ nm | - |
Temps de réponse | 800ns |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Sombre (Typ) | 300pA |
Zone active | 31mm² |
Angle de vue | 55° |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 80°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-233AA, TO-8-3 Lens Top Metal Can |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDI-V108-F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PDI-V108-F-FT |
PDB-C615-1
Advanced Photonix
PDB-C615-3
Advanced Photonix
PDB-C616-1
Advanced Photonix
PDB-C616-2
Advanced Photonix
PDB-C616-3
Advanced Photonix
PDB-C617-1
Advanced Photonix
PDB-C617-2
Advanced Photonix
PDB-C617-3
Advanced Photonix
PDB-C618-1
Advanced Photonix
PDB-C618-2
Advanced Photonix
A54SX32A-TQ144A
Microsemi Corporation
AT40K40AL-1BQC
Microchip Technology
M1A3P250-2VQG100I
Microsemi Corporation
5SGSMD3E2H29I3L
Intel
EP4CE10E22C7
Intel
EP4SGX290NF45I4N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
XC7K410T-3FFG676E
Xilinx Inc.
A40MX02-PQ100A
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000UHE-5FG484C
Lattice Semiconductor Corporation